Die Samsung Galaxy S25-Serie ist noch nicht veröffentlicht, doch es gibt bereits Leaks zur Galaxy S26. Nun wurden erste Details zum Exynos 2700-Chip bekannt, der in der Galaxy S27-Serie zum Einsatz kommen soll.
Laut SE Daily, entdeckt von Jukanlosreve auf X, hat Samsung die Entwicklung des Exynos-Chips für das Galaxy S27 gestartet. Der Chip, vermutlich der Exynos 2700, trägt den Codenamen Ulysses und wird in Samsungs zweiter Generation des 2nm-Prozesses, SF2P, gefertigt.
Das 2nm Verfahren in der Chipproduktion bezeichnet eine fortschrittliche Technologie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei der Transistoren nur 2 Nanometer groß sind. Diese Miniaturisierung ermöglicht eine höhere Transistordichte, was die Leistung und Effizienz der Chips verbessert. Chips, die mit dem 2nm Verfahren produziert werden, sind in der Regel energieeffizienter und bieten schnellere Datenverarbeitung, was besonders für Anwendungen wie Künstliche Intelligenz und datenintensive Prozesse wichtig ist. Die Herstellung von Chips im 2nm Bereich stellt allerdings eine erhebliche technische Herausforderungen dar. Dazu gehören die Entwicklung neuer Materialien und Herstellungsverfahren, um die gewünschten Eigenschaften zu erreichen und gleichzeitig die Produktionskosten zu kontrollieren. Insgesamt stellt das 2nm Verfahren einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleitertechnologie dar.
Dieser fortschrittliche Prozess befindet sich in der Entwicklungsphase mit dem Ziel, 2026 in die Massenproduktion zu gehen. Es wird berichtet, dass Samsung eine Leistungssteigerung von 12 %, eine Reduzierung des Stromverbrauchs um 25 % und eine Verkleinerung der Chipfläche um 8 % im Vergleich zur herkömmlichen Generation anstrebt.
Ob es auch wieder eine Snapdragon-Variante vom Samsung Galaxy S27 geben wird und welche Neuerungen dann die neuste Snapdragon 8 Version mitbringen wird, ist leider bisher noch nicht bekannt.
UPDATE Unsicherheiten bei der genutzten Prozessor-Technik
Andere Quellen gehen davon aus, dass Samsung einen Prozessor mit der 3nm GAA Technik beim Galaxy S27 zum Einsatz bringen wird. Die 3nm GAA-Technologie bezieht sich auf einen fortschrittlichen Fertigungsprozess für Halbleiter, der die Gate-All-Around-Feldeffekttransistoren (GAAFETs) nutzt. Diese Technologie ist eine Weiterentwicklung der bisherigen Transistorarchitekturen und bietet mehrere Vorteile, insbesondere in Bezug auf Energieeffizienz und Leistung. Diese Technik kommt aber nicht an die 2nm Verfahren heran.
Hier sind einige wichtige Punkte zur 3nm GAA-Technologie:
- Verbesserte Energieeffizienz: Der 3nm GAA-Prozess kann die Leistungsaufnahme um bis zu 45% im Vergleich zur vorherigen 5nm-Generation reduzieren, während die gleiche Leistung aufrechterhalten wird.
- Leistungssteigerung: Die Technologie ermöglicht eine Verbesserung der Leistung um 23% im Vergleich zu 5nm-Prozessen.
- Kleinere Chipfläche: Die Chips, die mit dieser Technologie hergestellt werden, haben eine um 16% kleinere Fläche im Vergleich zu den Vorgängermodellen.
- Anpassbare Kanalbreite: Mit der GAA-Technologie können Hersteller die Kanalbreite der Nanosheets anpassen, was zu einer weiteren Optimierung des Stromverbrauchs und der Leistung führt.
- Massenproduktion: Unternehmen wie AMD und Samsung haben bereits Pläne zur Massenproduktion von Chips mit dieser Technologie angekündigt, was auf eine breite Anwendung in der Industrie hindeutet.
Die 3nm GAA-Technologie stellt somit einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleiterfertigung dar und wird voraussichtlich eine Schlüsselrolle in der Entwicklung zukünftiger elektronischer Geräte spielen.
Zuletzt aktualisiert: 2. Dezember 2024
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Technikaffin seit den Zeiten von Amiga 500 und C64 – mittlerweile aber eher mit deutlichem Fokus auf die Bereich Mobilfunk und Telekommunikation. Die ersten Artikel im Telco Bereich habe ich bereits 2006 geschrieben, seit dem bin ich dem Thema treu geblieben und nebenbei läuft mittlerweile auch noch ein Telefon- und Smartphone Museum um die Entiwcklung zu dokumentieren.