Nach der neuen Vereinbarung von Qualcomm und Snapdragon scheint sicher, dass es beim Samsung Galaxy S25 wieder eine Mischung aus Snapdragon 8 gen 4 Prozessor und einem hauseigenen Exynos Chipsatz geben wird. Die Details rund um die neue Prozessorgeneration sind dabei noch eher mager, aber es sieht so aus, als würden beide Unternehmen auf höhere Taktraten setzen – der Snapdragon 8 Gen 8 Chipsatz soll sogar 4 GHz erreichen. Aktuell schafft der Gen 3 for Galaxy 3,39 GHz. Das wäre also ein deutlicher Leistungszuwachs im Vergleich zum aktuellen Modell.
Bei Phonearena schreibt man dazu:
Wir gehen auch davon aus, dass der Snapdragon 8 Gen 4 (Codename Tongzi) keine Kerne mit geringer Energieeffizienz haben wird. Stattdessen wird es über zwei große „Phoenix“-CPU-Kerne mit hoher Leistung und sechs „Phoenix“-CPU-Kerne mit mittlerer Leistung verfügen. Und der Tippgeber Digital Chat Station hat auf seinem Weibo-Konto (über Wccftech) erklärt, dass 4-GHz-Geschwindigkeiten für den Tongzi-Mobilchip (Snapdragon 8 Gen 4) kein Traum mehr seien. Der Leaker hat zwar nicht angegeben, welcher Kern mit der 4-GHz-Geschwindigkeit laufen wird, es handelt sich jedoch wahrscheinlich um die beiden großen Hochleistungs-Phoenix-Kerne.
Die Taktrate von 4 GHz entspricht der Spitzengeschwindigkeit von 3,3 GHz, mit der der Cortex-X4-Prime-CPU-Kern getaktet ist. Die neuesten Gerüchte besagen, dass der Snapdragon 8 Gen 4 SoC mit der Adreno 830 GPU ausgestattet sein soll. Der Chipsatz wird von TSMC unter Verwendung seines 3-nm-Prozessknotens gebaut und erzielte Berichten zufolge einen ziemlich beeindruckenden Multi-Core-Geekbench-6-Score von 10628. Dies steht im Vergleich zum 7249 Multi-Core-Score des Snapdragon 8 Gen 3.
Der kommende Prozessor ist offenbar das Ergebnis fortschrittlicher Entwicklungen in der Mikroprozessortechnologie, die auf ein Achtkern-Design abzielen. Dieses Design kombiniert zwei leistungsstarke Phoenix-L-Kerne mit sechs energieeffizienten Phoenix-M-Kernen. Die Architektur hinter solch einem Hybrid-Kern-Design ist darauf ausgelegt, eine optimale Balance zwischen Leistungsfähigkeit und Energieverbrauch zu erreichen. Die leistungsstarken L-Kerne können anspruchsvolle Aufgaben übernehmen und bieten hohe Rechenleistung, wenn es darauf ankommt, während die energieeffizienten M-Kerne bei alltäglichen Aufgaben helfen, die Batterielaufzeit zu maximieren. Energie-Spar-Cores wird es wohl nicht mehr geben.
Ein weiteres bemerkenswertes Merkmal dieses Prozessors ist der Fertigungsprozess, der im Drei-Nanometer-Verfahren bei TSMC stattfindet. Dieses hochmoderne Fertigungsverfahren verspricht zahlreiche Vorteile. Im Vergleich zu größeren Nanometer-Prozessen erlaubt die 3-nm-Technologie die Herstellung kleinerer, effizienterer und leistungsstärkerer Transistoren. Dies führt dazu, dass mehr Transistoren auf dem gleichen Raum platziert werden können, was zu einer gesteigerten Leistung und zugleich zu einer erhöhten Energieeffizienz führt. Der Umstieg auf die 3-nm-Technologie könnte daher eine bedeutende Rolle in der Leistungssteigerung und Effizienz des zukünftigen Prozessors spielen.
Bislang ist diese fortschrittliche Fertigungstechnik vor allem bei den neuesten Chip-Generationen von Apple zu finden, was auf einen exklusiven Vorteil im Markt für High-End-Prozessoren hinweist. Der Übergang zu diesem Prozess durch andere Chiphersteller dürfte die Wettbewerbslandschaft erheblich beeinflussen und könnte zu einer neuen Ära der Rechenleistung und Energieeffizienz in verschiedenen elektronischen Geräten führen, von Smartphones über Laptops bis hin zu leistungsfähigen Servern.
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Zuletzt aktualisiert: 18. Februar 2024
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Technikaffin seit den Zeiten von Amiga 500 und C64 – mittlerweile aber eher mit deutlichem Fokus auf die Bereich Mobilfunk und Telekommunikation. Die ersten Artikel im Telco Bereich habe ich bereits 2006 geschrieben, seit dem bin ich dem Thema treu geblieben und nebenbei läuft mittlerweile auch noch ein Telefon- und Smartphone Museum um die Entiwcklung zu dokumentieren.